硅雪崩光电探测器

该模块采用材料硅的雪崩光电二极管进行光电转换,所以对波长范围为400-1100nm的光极其灵敏,模块采用空间光耦合,能够探测到低至nW级功率的弱光,同时还拥有200M的带宽。该模块也跟国外进口对应型号的模块对比,参数性能几乎一致,常被用于各种nW级的弱光信号探测场景,也被用在一些激光雷达,分析仪器上。

型    号:APD430A-200M

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属性 APD430A-200M APD430C-200M
材料 Si InGaAs
光谱范围 400-1100nm 800-1700nm
输入接口 自由空间光(FC选配) 自由空间光(FC选配)
光敏面直径 230um 200um
响应度 55A/W @ 905nm (M = 100) 18A/W @ 1550nm (M = 20)
带宽 DC-200MHz DC-200MHz
上升时间 1.8ns 1.8ns
最大增益@HiZ 1.2x10^6V/W 4x10^5V/W
综合噪声 7nW(RMS) 21nW(RMS)
饱和功率 2.5uW 7.5uW
噪声电压@50欧负载 <12mVpp <12mVpp
最大输出电压@HiZ 3.0V 3.0V
工作电压 5VDC ±10% 5VDC ±10%
工作电流 <200mA <200mA
输出接头 SMA SMA
输出阻抗 50Ω 50Ω
输出耦合方式 DC DC
工作温度 -20~60℃ -20~60℃
存储温度 -40~85℃ -40~85℃
外形尺寸 60mm x 50mm x 32mm(长x宽x厚) 60mm x 50mm x 32mm(长x宽x厚)


响应曲线

硅雪崩光电探测器响应曲线图


外形尺寸

硅雪崩光电探测器外形尺寸图


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