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APD430 空间光雪崩光电探测器模块

400–1700nm 空间光 · Si / InGaAs · 可调增益 · 最高 400MHz · 激光雷达 / 弱光探测

APD430 雪崩光电探测器 可调增益APD InGaAs探测器 空间光探测 激光雷达接收模块
产品型号:APD430
规格书:点击下载 PDF
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技术支持:黄工 13427781756 (微信同号,可扫码)
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1. 产品概述

APD430 空间光雪崩光电探测器模块采用 200μm 大光敏面雪崩光电二极管(APD),专为自由空间光耦合和弱光信号探测设计。相比普通 PIN 探测器,APD 通过内部雪崩倍增效应获得更高灵敏度,更适合低光功率、微弱回波信号场景。

模块覆盖 400-1100nm(Si)或 800-1700nm(InGaAs)波长,带宽最高 400MHz,DC 耦合输出,SMA 接口,内置温度补偿电路,可根据热敏电阻实时调节偏置电压,补偿温度变化对 M 因子的影响,在宽温范围内保持稳定增益和低噪声。

典型应用包括:激光雷达 LiDAR 回波信号接收、脉冲激光测距微弱信号检测、空间光通信、弱光干涉与超快光学实验、工业无损检测等。支持光敏面、波长、带宽、接口与封装定制,并提供规格书和选型支持。

2. 产品特点

  • 温度补偿
  • 选配可调增益
  • 最大带宽可达400MHz
  • 30mm光学笼式系统

3. 典型应用场景

  • 激光雷达 LiDAR 回波信号接收
  • 脉冲激光测距微弱信号检测
  • 空间光通信
  • 弱光信号探测与无损检测

4. APD430核心参数

型号APD430A-10MAPD430A-50MAPD430A-200MAPD430A-400M
材料Si
波长范围400-1100nm
光敏区域直径500um230um
响应度0.55A/W @ 850nm (M = 1)
带宽aDC-10MHzDC-50MHzDC-200MHzDC-400MHz
上升时间a40ns8ns2ns1ns
增益b1.4x10^7V/W2.7x10^6V/W1.2x10^6V/W0.52x10^6V/W
可调增益范围c1-1001-1001-1001-100
饱和光功率0.23uW1.3uW2.5uW5.8uW
噪声电压a20mVpp20mVpp20mVpp20mVpp
最大输出电压b3.2V3.2V3.2V3.2V
噪声等效功率0.11pW/√Hz0.23pW/√Hz0.28pW/√Hz0.64pW/√Hz
型号APD430U-10MAPD430U-50MAPD430U-200MAPD430U-400M
材料Si
波长范围200-1000nm
光敏区域直径500um
响应度0.42A/W @620nm (M = 1)
带宽aDC-10MHzDC-50MHzDC-200MHzDC-400MHz
上升时间a8ns8ns2ns1ns
增益b5.0x10^6V/W1.2x10^6V/W6.0x10^5V/W2.5x10^5V/W
可调增益范围c1-1001-1001-1001-100
饱和光功率0.64uW2.1uW5.3uW13uW
噪声电压a20mVpp20mVpp20mVpp20mVpp
最大输出电压b3.2V3.2V3.2V3.2V
噪声等效功率0.08pW/√Hz0.12pW/√Hz0.15pW/√Hz0.17pW/√Hz

型号APD430C-10MAPD430C-50MAPD430C-200MAPD430C-400M
材料InGaAs
波长范围1000-1700nm
光敏区域直径500um200um
响应度0.9A/W @ 1550nm (M = 1)
带宽aDC-10MHzDC-50MHzDC-200MHzDC-400MHz
上升时间a40ns8ns2ns1ns
增益b3.2x10^6V/W0.65x10^6V/W4.0x10^5V/W1.8x10^5V/W
饱和光功率0.98uW4.8uW8uW16.7uW
噪声电压a20mVpp20mVpp20mVpp20mVpp
最大输出电压b3.2V3.2V3.2V3.2V
噪声等效功率0.42pW/√Hz0.71pW/√Hz0.84pW/√Hz1.8pW/√Hz


型号APD430C-ITRI1
APD430C-ITRI2
APD430C-ITRI3
材料InGaAs
InGaAs
InGaAs
波长范围1000-1700nm
1000-1700nm
1000-1700nm
光敏区域直径1mm
1mm
1mm
响应度0.9A/W @ 1550nm (M = 1)
0.9A/W @ 1550nm (M = 1)
0.9A/W @ 1550nm (M = 1)
带宽aDC-120MHz
DC-100MHz
DC-80MHz
上升时间a3ns
3.5ns
4.5ns
增益b4x10^5V/W
4x10^5V/W
4x10^5V/W
饱和光功率8uW
11.4uW
8uW
噪声电压a20mVpp
20mVpp
20mVpp
最大输出电压b3.2V
3.2V
3.2V


型号APD430C-ITRI4APD430C-ITRI5APD430C-ITRI6 
材料InGaAs
波长范围1000-1700nm
光敏区域直径500um1000um
响应度0.9A/W @ 1550nm (M = 1)
带宽aDC-180MHzDC-400MHzDC-20MHz 
上升时间a2ns1ns18ns 
增益b1.8x10^5V/W3.6x10^4V/W1.8x10^6V/W 
饱和光功率17.7uW88uW1.78uW 
噪声电压a20mVpp20mVpp20mVpp 
最大输出电压b3.2V3.2V3.2V 
噪声等效功率pW/√HzpW/√Hz0.85pW/√Hz


型号探测器公共参数
工作电压9V
工作电流<200mA
输出阻抗50Ω
输出耦合方式DC
输出接头SMA female
工作温度-10~65℃
存储温度-40~85℃

备注:

a 对于50Ω负载

b 对于高阻负载


5. 响应曲线

APD430A 400-1100nm硅芯片光谱响应曲线20260825001.pngAPD430C 1000-1700nm近红外光谱响应曲线

备注:响应曲线为典型值,仅供参考。


6. 选型与定制说明

探测器型号命名规范:探测器系列-带宽-SM1-ADJ

例:

APD430A-50M,则表示使用结构为 30mm 笼式结构。

APD430A-50M-SM1,则表示使用结构为 SM1 外螺纹结构。

APD430A-50M-SM1-ADJ,则表示使用结构 SM1 外螺纹可调增益结构。

7. 机械尺寸

APD430 30mm笼式/SM1结构外形尺寸图APD430 30mm笼式/SM1结构外形尺寸图APD430 30mm笼式/SM1结构外形尺寸图

8.光敏距离示意图

25_181626_903.png


9. 发货清单

序号物资名称数量单位备注
1光电探测器1个 
2电源适配器1个9V
3SMA转BNC射频线1根


APD430探测器整机+电源+射频线全套配件


10、FAQ

Q1:APD430 和 PIN 探测器有什么区别?
A:APD 内部有雪崩倍增效应,灵敏度更高,适合弱光信号探测;PIN 结构简单、偏置低,适合较强光或高速场景。选型时主要看光功率、带宽、噪声和成本。

Q2:APD430 支持哪些波长?
A:可根据型号覆盖 400-1100nm(Si)或 800-1700nm(InGaAs),具体以规格书为准。

Q3:APD430 带宽最高多少?
A:带宽最高可达 400MHz,也可根据应用选择不同带宽版本。

Q4:温度补偿有什么用?
A:APD 的增益 M 因子会随温度变化,内置温度补偿可实时调节偏置电压,保持增益和探测性能稳定。

Q5:APD430 可以定制吗?
A:支持光敏面、波长、带宽、接口、封装等定制,可提供选型支持。

Q6:APD430 主要应用在哪些场景?
A:激光雷达、激光测距、空间光通信、弱光信号探测、超快光学实验、工业无损检测等。


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