
APD430 可调增益雪崩光电探测器属于APD 光电探测器系列,分为 APD430A 硅款(400-1100nm 可见光)、APD430C 铟镓砷款(1000-1700nm 近红外),默认空间自由空间光输入;集成热敏电阻实现温度补偿,选配可调增益结构可手动调节 M 倍增因子,带宽覆盖 10MHz~400MHz,专为激光雷达、微弱光信号检测光路设计。
| 型号 | APD430A-10M | APD430A-50M | APD430A-200M | APD430A-400M |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | Si | |||
| 波长范围 | 400-1100nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 230um | ||
| 响应度 | 0.55A/W @ 905nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 1.4x10^7V/W | 2.7x10^6V/W | 1.2x10^6V/W | 0.52x10^6V/W |
| 饱和光功率 | 0.23uW | 1.3uW | 2.5uW | 5.8uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.11pW/√Hz | 0.23pW/√Hz | 0.28pW/√Hz | 0.64pW/√Hz |
| 型号 | APD430C-10M | APD430C-50M | APD430C-200M | APD430C-400M |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 200um | ||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 3.2x10^6V/W | 0.65x10^6V/W | 4.0x10^5V/W | 1.8x10^5V/W |
| 饱和光功率 | 0.98uW | 4.8uW | 8uW | 16.7uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.42pW/√Hz | 0.71pW/√Hz | 0.84pW/√Hz | 1.8pW/√Hz |
| 型号 | APD430C-ITRI1 | APD430C-ITRI2 | APD430C-ITRI3 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | 1000-1700nm | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 1mm | 1mm | 1mm | |||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-120MHz | DC-100MHz | DC-80MHz | |||
| 上升时间a | 3ns | 3.5ns | 4.5ns | |||
| 增益b | 4x10^5V/W | 4x10^5V/W | 4x10^5V/W | |||
| 饱和光功率 | 8uW | 11.4uW | 8uW | |||
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | |||
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | |||
| 型号 | APD430C-ITRI4 | APD430C-ITRI5 | APD430C-ITRI6 | |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 1000um | ||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-180MHz | DC-400MHz | DC-20MHz | |
| 上升时间a | 2ns | 1ns | 18ns | |
| 增益b | 1.8x10^5V/W | 3.6x10^4V/W | 1.8x10^6V/W | |
| 饱和光功率 | 17.7uW | 88uW | 1.78uW | |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | |
| 噪声等效功率 | pW/√Hz | pW/√Hz | 0.85pW/√Hz | |
| 型号 | 探测器公共参数 |
|---|---|
| 工作电压 | 9V |
| 工作电流 | <200mA |
| 输出阻抗 | 50Ω |
| 输出耦合方式 | DC |
| 输出接头 | SMA female |
| 工作温度 | -10~65℃ |
| 存储温度 | -40~85℃ |
备注:
a 对于50Ω负载
b 对于高阻负载


备注:响应曲线为典型值,仅供参考。
探测器型号命名规范:探测器系列-带宽-SM1-ADJ
例:
APD430A-50M,则表示使用结构为 30mm 笼式结构。
APD430A-50M-SM1,则表示使用结构为 SM1 外螺纹结构。
APD430A-50M-SM1-ADJ,则表示使用结构 SM1 外螺纹可调增益结构。




| 序号 | 物资名称 | 数量 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 光电探测器 | 1 | 个 | |
| 2 | 电源适配器 | 1 | 个 | 9V |
| 3 | SMA转BNC射频线 | 1 | 根 |

| 选型描述 | 备注 | 链接 |
|---|---|---|
| 800-1700nm光纤输入的光电探测器 | 光纤输入 | 查看 |
| 800-1700nm的空间光输入光电探测器 | 空间光输入 | 查看 |
| 400-1100nm光纤输入硅光电探测器 | 光纤输入 | 查看 |
| 400-1100nm空间光输入硅光电探测器 | 空间光输入 | 查看 |
| 1G带宽以上的光电探测器 | 1G带宽以上 | 查看 |