400–1700nm 空间光 · Si / InGaAs · 可调增益 · 最高 400MHz · 激光雷达 / 弱光探测

APD430 空间光雪崩光电探测器模块采用 200μm 大光敏面雪崩光电二极管(APD),专为自由空间光耦合和弱光信号探测设计。相比普通 PIN 探测器,APD 通过内部雪崩倍增效应获得更高灵敏度,更适合低光功率、微弱回波信号场景。
模块覆盖 400-1100nm(Si)或 800-1700nm(InGaAs)波长,带宽最高 400MHz,DC 耦合输出,SMA 接口,内置温度补偿电路,可根据热敏电阻实时调节偏置电压,补偿温度变化对 M 因子的影响,在宽温范围内保持稳定增益和低噪声。
典型应用包括:激光雷达 LiDAR 回波信号接收、脉冲激光测距微弱信号检测、空间光通信、弱光干涉与超快光学实验、工业无损检测等。支持光敏面、波长、带宽、接口与封装定制,并提供规格书和选型支持。
| 型号 | APD430A-10M | APD430A-50M | APD430A-200M | APD430A-400M |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | Si | |||
| 波长范围 | 400-1100nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 230um | ||
| 响应度 | 0.55A/W @ 850nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 1.4x10^7V/W | 2.7x10^6V/W | 1.2x10^6V/W | 0.52x10^6V/W |
| 可调增益范围c | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 饱和光功率 | 0.23uW | 1.3uW | 2.5uW | 5.8uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.11pW/√Hz | 0.23pW/√Hz | 0.28pW/√Hz | 0.64pW/√Hz |
| 型号 | APD430U-10M | APD430U-50M | APD430U-200M | APD430U-400M |
| 材料 | Si | |||
| 波长范围 | 200-1000nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | |||
| 响应度 | 0.42A/W @620nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 8ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 5.0x10^6V/W | 1.2x10^6V/W | 6.0x10^5V/W | 2.5x10^5V/W |
| 可调增益范围c | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 饱和光功率 | 0.64uW | 2.1uW | 5.3uW | 13uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.08pW/√Hz | 0.12pW/√Hz | 0.15pW/√Hz | 0.17pW/√Hz |
| 型号 | APD430C-10M | APD430C-50M | APD430C-200M | APD430C-400M |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 200um | ||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 3.2x10^6V/W | 0.65x10^6V/W | 4.0x10^5V/W | 1.8x10^5V/W |
| 饱和光功率 | 0.98uW | 4.8uW | 8uW | 16.7uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.42pW/√Hz | 0.71pW/√Hz | 0.84pW/√Hz | 1.8pW/√Hz |
| 型号 | APD430C-ITRI1 | APD430C-ITRI2 | APD430C-ITRI3 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | 1000-1700nm | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 1mm | 1mm | 1mm | |||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-120MHz | DC-100MHz | DC-80MHz | |||
| 上升时间a | 3ns | 3.5ns | 4.5ns | |||
| 增益b | 4x10^5V/W | 4x10^5V/W | 4x10^5V/W | |||
| 饱和光功率 | 8uW | 11.4uW | 8uW | |||
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | |||
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | |||
| 型号 | APD430C-ITRI4 | APD430C-ITRI5 | APD430C-ITRI6 | |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 1000um | ||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-180MHz | DC-400MHz | DC-20MHz | |
| 上升时间a | 2ns | 1ns | 18ns | |
| 增益b | 1.8x10^5V/W | 3.6x10^4V/W | 1.8x10^6V/W | |
| 饱和光功率 | 17.7uW | 88uW | 1.78uW | |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | |
| 噪声等效功率 | pW/√Hz | pW/√Hz | 0.85pW/√Hz | |
| 型号 | 探测器公共参数 |
|---|---|
| 工作电压 | 9V |
| 工作电流 | <200mA |
| 输出阻抗 | 50Ω |
| 输出耦合方式 | DC |
| 输出接头 | SMA female |
| 工作温度 | -10~65℃ |
| 存储温度 | -40~85℃ |
备注:
a 对于50Ω负载
b 对于高阻负载



备注:响应曲线为典型值,仅供参考。
探测器型号命名规范:探测器系列-带宽-SM1-ADJ
例:
APD430A-50M,则表示使用结构为 30mm 笼式结构。
APD430A-50M-SM1,则表示使用结构为 SM1 外螺纹结构。
APD430A-50M-SM1-ADJ,则表示使用结构 SM1 外螺纹可调增益结构。




| 序号 | 物资名称 | 数量 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 光电探测器 | 1 | 个 | |
| 2 | 电源适配器 | 1 | 个 | 9V |
| 3 | SMA转BNC射频线 | 1 | 根 |

Q1:APD430 和 PIN 探测器有什么区别?
A:APD 内部有雪崩倍增效应,灵敏度更高,适合弱光信号探测;PIN 结构简单、偏置低,适合较强光或高速场景。选型时主要看光功率、带宽、噪声和成本。
Q2:APD430 支持哪些波长?
A:可根据型号覆盖 400-1100nm(Si)或 800-1700nm(InGaAs),具体以规格书为准。
Q3:APD430 带宽最高多少?
A:带宽最高可达 400MHz,也可根据应用选择不同带宽版本。
Q4:温度补偿有什么用?
A:APD 的增益 M 因子会随温度变化,内置温度补偿可实时调节偏置电压,保持增益和探测性能稳定。
Q5:APD430 可以定制吗?
A:支持光敏面、波长、带宽、接口、封装等定制,可提供选型支持。
Q6:APD430 主要应用在哪些场景?
A:激光雷达、激光测距、空间光通信、弱光信号探测、超快光学实验、工业无损检测等。