器件为硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。

器件为硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 光敏面直径 | φ | 0.23 | 0.5 | mm |
| 工作电压 | VBR | 0.98VBR | V | |
| 工作温度 | TC | -10~85 | ⁰C | |
| 贮存温度 | TSTG | -45~100 | ⁰C | |
| 焊接温度 | —— | 260 | ⁰C | |
| 正向电流 | IF | 0.25 | mA | |
| 耗散功率 | —— | 100 | mW | |
| 特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 光谱响应范围 | λ | —— | 400~1100 | μm | ||
| 峰值响应波长 | —— | —— | 905 | nm | ||
| 响应度 | Re | λ=905nm,ф=1μW,M=100 | 55 | A/W | ||
| 响应时间 | TS | λ=905nm,RL=50Ω | 0.6 | ns | ||
| 暗电流 | Id | M=100 | —— | 0.2~2.0 | nA | |
| 工作电压温度系数 | —— | T=-40C~85℃C | 0.9 | |||
| 总电容 | C | M=100, f=1MHz | 1.0~2.0 | pF | ||
| 击穿电压 | δ | IR=10μA | 80 | —— | 220 | V |

