光电二极管(探测器芯片与耦合器件)

光电二极管是光电转换的最基础单元:PIN 型在偏压下输出与光功率成正比的光电流;APD 型利用雪崩倍增获得内部增益。本页提供 Si 与 InGaAs 材料的芯片级与耦合封装器件,含 TO46 裸片、尾纤(PF)与 FC 法兰等形式,供 OEM 厂商、研究所与模块设计者集成到自定义探测器、传感头或通信子系统中。若需要已集成放大与电源的完整模块,请参见 PIN 放大探测器APD 模块偏压探测器 分类页。

Si / InGaAs PIN · APD TO46 · 尾纤 · FC 200μm – 3mm 光敏 OEM 芯片

光电二极管型号

GY-Si-APD-3000-TO5 硅雪崩光电二极管

GY-Si-APD-3000-TO5

Φ3mm 300-1000nm 硅雪崩光电二极管 355nm紫外增强

Si APD · Φ3mm · TO5 · 355nm 增强

GY-PD-1000-E-TO46 InGaAs光电二极管

GY-PD-1000-E-TO46

1mm 900-2600nm 长波长 InGaAs光电探测器二极管 TO46

InGaAs PIN · 1mm · 900–2600nm · TO46

GY-APD-200-TO46 InGaAs APD

GY-APD-200-TO46

200um 950-1700nm APD光电探测器雪崩二极管 TO46封装 裸片die

InGaAs APD · 200μm · TO46 裸片

GY-APD-500-TO46 InGaAs APD

GY-APD-500-TO46

500um 950-1700nm APD光电探测芯片 TO46封装 裸Die

InGaAs APD · 500μm · TO46 裸片

GY-APD-1000-TO46 InGaAs APD

GY-APD-1000-TO46

1mm 950-1700nm APD雪崩光电探测 TO46封装 裸片

InGaAs APD · 1mm · TO46 裸片

GY-APD-50-PF-M InGaAs APD尾纤

GY-APD-50-PF-M

1100-1650nm InGaAs APD光电探测器 尾纤封装 多模62.5/125

InGaAs APD · 尾纤 · 多模 62.5/125

GY-APD-50-PF-S InGaAs APD单模尾纤

GY-APD-50-PF-S

1100-1650nm 50um InGaAs APD雪崩光电二极管 单模尾纤

InGaAs APD · 50μm · 单模尾纤

GY-APD-200-PF-M InGaAs APD尾纤

GY-APD-200-PF-M

950-1650nm InGaAs APD光电二极管 尾纤 多模200/220

InGaAs APD · 尾纤 · 多模 200/220

GY-PD-70-BGS InGaAs PD

GY-PD-70-BGS

1100-1650nm InGaAs 光电二极管PD 正方形FC法兰

InGaAs PIN · FC 正方形法兰

GY-PD-80-B InGaAs PIN

GY-PD-80-B

1100-1680nm InGaAs 80um PIN光电二极管 FC型长方形法兰

InGaAs PIN · 80μm · FC 长方形

GY-SI-APD-500-PF-M Si APD尾纤

GY-SI-APD-500-PF-M

400-1100nm Si硅光电二极管 多模光纤(62.5/125)封装 FC/APC接头

Si APD · 多模尾纤 · FC/APC

GY-SI-APD-800-TO46 Si APD

GY-SI-APD-800-TO46

Si APD 400-1100nm 光电二极管 800μm 1064nm增强

Si APD · 800μm · 1064nm 增强 · TO46

GY-SI-APD-230/500-TO46 Si APD

GY-SI-APD-230/500-TO46

230/500um 400~1100nm 硅雪崩光电二极管 峰值905nm TO46

Si APD · 230/500μm · 905nm 峰值 · TO46

GY-SI-PD-200-S Si PIN

GY-SI-PD-200-S

400-1100nm 硅基PIN光电二极管 长方形FC法兰

Si PIN · FC 长方形法兰

GY-SI-PD-200-BGS Si PD

GY-SI-PD-200-BGS

Si 400-1100nm 光电二极管 正方形FC法兰

Si PIN · FC 正方形法兰

系列对照(按封装与材料选型)

先按 PIN / APD 与波长选材料,再按集成方式选 TO46 裸片、尾纤或 FC 法兰。下表为本分类主要型号对照。

InGaAs APD · TO46 裸片

型号光敏波长封装
GY-APD-200-TO46200μm950–1700nmTO46 裸片
GY-APD-500-TO46500μm950–1700nmTO46 裸片
GY-APD-1000-TO461mm950–1700nmTO46 裸片

InGaAs · 尾纤 / FC

型号类型波长耦合
GY-APD-50-PF-MAPD1100–1650nm多模尾纤 62.5/125
GY-APD-50-PF-SAPD1100–1650nm单模尾纤 · 50μm
GY-APD-200-PF-MAPD950–1650nm多模尾纤 200/220
GY-PD-70-BGSPIN1100–1650nmFC 正方形法兰
GY-PD-80-BPIN1100–1680nmFC 长方形 · 80μm
GY-PD-1000-E-TO46PIN900–2600nmTO46 · 1mm 长波长

Si · APD / PIN

型号类型波长特点
GY-Si-APD-3000-TO5APD300–1000nmΦ3mm · 355nm 紫外增强 · TO5
GY-SI-APD-800-TO46APD400–1100nm800μm · 1064nm 增强
GY-SI-APD-230/500-TO46APD400–1100nm230/500μm · 905nm 峰值
GY-SI-APD-500-PF-MAPD400–1100nm多模尾纤 · FC/APC
GY-SI-PD-200-SPIN400–1100nmFC 长方形法兰
GY-SI-PD-200-BGSPIN400–1100nmFC 正方形法兰

如何选择光电二极管

芯片还是完整模块

只需光敏芯片或带光纤耦合的器件、自行设计偏压与放大电路,选本页光电二极管。要开箱即用、带跨阻输出,选 PIN 模块APD 模块

封装与光敏尺寸

自由空间、自建管壳选 TO46/TO5 裸片;与光纤对接选 PF 尾纤或 FC 法兰。光敏直径应大于光斑;弱光 APD 选小光敏降低噪声,强光或对准容差大选大光敏(500μm–1mm)。

完整步骤见 光电探测器模块如何选型

典型应用

自定义探测器 OEM

采购 TO46 APD/PIN 芯片,集成到自研壳体、TEC 与放大板,做专用传感或通信前端。

光纤耦合子系统

尾纤或 FC 型二极管直接熔接或对接光路,简化光机设计,用于 DAS 探头、LiDAR 接收等。

1064nm / 905nm 雷达芯片

Si APD 1064nm 增强(GY-SI-APD-800)或 905nm 峰值(GY-SI-APD-230/500)用于激光雷达接收链前端。

紫外与长波长传感

355nm 增强 Si APD(GY-Si-APD-3000)与 900–2600nm InGaAs PIN(GY-PD-1000-E)覆盖特殊波段需求。

选型常见问题

光电二极管和探测器模块有什么区别?

二极管是光敏芯片或带耦合封装的器件,输出光电流,需外接偏压与读放电路。探测器模块已集成放大、接口与电源,输出电压信号,适合直接接示波器。

PIN 芯片和 APD 芯片怎么选?

PIN 无内部增益,电路简单,光功率 μW 以上常用。APD 有雪崩增益,弱光更敏感,但需稳定高压与温度控制。集成难度 APD 更高。

TO46 裸片如何使用?

需具备 die attach、金丝键合或同轴耦合能力,并设计 APD 高压与限流保护。适合有封装经验的 OEM;无封装能力建议选尾纤/FC 型或成品模块。

尾纤多模和单模如何区分?

GY-APD-50-PF-M、GY-APD-200-PF-M 等为多模尾纤,适合 LED 或多模系统。GY-APD-50-PF-S 为单模尾纤,与 SMF-28 等单模光纤对接,1550nm 通信/传感常用。


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