光电二极管是光电转换的最基础单元:PIN 型在偏压下输出与光功率成正比的光电流;APD 型利用雪崩倍增获得内部增益。本页提供 Si 与 InGaAs 材料的芯片级与耦合封装器件,含 TO46 裸片、尾纤(PF)与 FC 法兰等形式,供 OEM 厂商、研究所与模块设计者集成到自定义探测器、传感头或通信子系统中。若需要已集成放大与电源的完整模块,请参见 PIN 放大探测器、APD 模块 与 偏压探测器 分类页。
230/500um 400~1100nm 硅雪崩光电二极管 峰值905nm TO46
Si APD · 230/500μm · 905nm 峰值 · TO46
先按 PIN / APD 与波长选材料,再按集成方式选 TO46 裸片、尾纤或 FC 法兰。下表为本分类主要型号对照。
| 型号 | 光敏 | 波长 | 封装 |
|---|---|---|---|
| GY-APD-200-TO46 | 200μm | 950–1700nm | TO46 裸片 |
| GY-APD-500-TO46 | 500μm | 950–1700nm | TO46 裸片 |
| GY-APD-1000-TO46 | 1mm | 950–1700nm | TO46 裸片 |
| 型号 | 类型 | 波长 | 耦合 |
|---|---|---|---|
| GY-APD-50-PF-M | APD | 1100–1650nm | 多模尾纤 62.5/125 |
| GY-APD-50-PF-S | APD | 1100–1650nm | 单模尾纤 · 50μm |
| GY-APD-200-PF-M | APD | 950–1650nm | 多模尾纤 200/220 |
| GY-PD-70-BGS | PIN | 1100–1650nm | FC 正方形法兰 |
| GY-PD-80-B | PIN | 1100–1680nm | FC 长方形 · 80μm |
| GY-PD-1000-E-TO46 | PIN | 900–2600nm | TO46 · 1mm 长波长 |
| 型号 | 类型 | 波长 | 特点 |
|---|---|---|---|
| GY-Si-APD-3000-TO5 | APD | 300–1000nm | Φ3mm · 355nm 紫外增强 · TO5 |
| GY-SI-APD-800-TO46 | APD | 400–1100nm | 800μm · 1064nm 增强 |
| GY-SI-APD-230/500-TO46 | APD | 400–1100nm | 230/500μm · 905nm 峰值 |
| GY-SI-APD-500-PF-M | APD | 400–1100nm | 多模尾纤 · FC/APC |
| GY-SI-PD-200-S | PIN | 400–1100nm | FC 长方形法兰 |
| GY-SI-PD-200-BGS | PIN | 400–1100nm | FC 正方形法兰 |
自由空间、自建管壳选 TO46/TO5 裸片;与光纤对接选 PF 尾纤或 FC 法兰。光敏直径应大于光斑;弱光 APD 选小光敏降低噪声,强光或对准容差大选大光敏(500μm–1mm)。
完整步骤见 光电探测器模块如何选型。
采购 TO46 APD/PIN 芯片,集成到自研壳体、TEC 与放大板,做专用传感或通信前端。
尾纤或 FC 型二极管直接熔接或对接光路,简化光机设计,用于 DAS 探头、LiDAR 接收等。
Si APD 1064nm 增强(GY-SI-APD-800)或 905nm 峰值(GY-SI-APD-230/500)用于激光雷达接收链前端。
355nm 增强 Si APD(GY-Si-APD-3000)与 900–2600nm InGaAs PIN(GY-PD-1000-E)覆盖特殊波段需求。
二极管是光敏芯片或带耦合封装的器件,输出光电流,需外接偏压与读放电路。探测器模块已集成放大、接口与电源,输出电压信号,适合直接接示波器。
PIN 无内部增益,电路简单,光功率 μW 以上常用。APD 有雪崩增益,弱光更敏感,但需稳定高压与温度控制。集成难度 APD 更高。
需具备 die attach、金丝键合或同轴耦合能力,并设计 APD 高压与限流保护。适合有封装经验的 OEM;无封装能力建议选尾纤/FC 型或成品模块。
GY-APD-50-PF-M、GY-APD-200-PF-M 等为多模尾纤,适合 LED 或多模系统。GY-APD-50-PF-S 为单模尾纤,与 SMF-28 等单模光纤对接,1550nm 通信/传感常用。