APD20-50M InGaAs 雪崩光电探测器

概述

  铟镓砷雪崩光电探测器(APD)比标准 PIN 探测器具有更高的灵敏度和更低的噪声，因此 非常适合用于低光功率应用，我们的探测器集成温度传感器，用于调节偏置电压，以补偿温 度变化对 M 因子产生的影响。探测器采用单电源供电，使用方便，外壳具有一个 FC 光学接 头，兼容 FC/PC 和 FC/APC 接头。

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特性

  M 因子温度补偿
  APD 过流保护
  噪声等效功率低至 1.2pW/√Hz
  全金属外壳，屏蔽性能优良
  M6 螺纹孔，便于安装
  SMA输出
  支持定制

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应用

  探测超弱光信号
  探测快速激光脉冲
  光纤传感系统

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规格

属性	APD20-50M
材料	InGaAs
光谱范围	800-1700nm
输入接口	FC
光敏面直径	50um
响应度	9A/W @ 1550nm (M = 10)
带宽	DC-280MHz
上升时间	7ns
增益	3.2x105V/W
最小光功率	-46dBm
饱和光功率	-26dBm
工作电压	12VDC ±10%
工作电流	<100mA
无光输入噪声电压	<4.8mV
输出接头	SMA
输出阻抗	50Ω
输出耦合方式	DC
最大输出幅度	2.5V
工作温度	-20~70℃
存储温度	-40~85℃
外形尺寸	81 mm x 64 mm x 25 mm

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响应曲线

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外形尺寸

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