1100-1650nm 50um InGaAs APD雪崩光电二极管 单模尾纤
APD Photodiode
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1. 概述
GY-APD-50-PF-S是一种铟镓砷雪崩光电二极管，专为高性能光通信和光电探测设计。这种APD管子具有50微米的光敏面积，具有2G的带宽。
2. 应用
- 高响应度，低回波损耗
- 低暗电流，小电容
- 同轴封装，可靠性高，使用寿命长
- 符合RoHS要求无铅
- 仪器仪表
3. 最大绝对额定值（Tc=25℃）
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 工作温度 | Top | -40 | +85 | ⁰C |
| 贮存温度 | TSTG | -40 | +85 | ⁰C |
| 正向电流 | IF | —— | 5 | mA |
| 反向电流 | VR | —— | 45 | V |
4. 光电性能（Tc=25℃）
| 特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作波长 | λ | —— | 1100 | —— | 1650 | nm |
| 雪崩电压 | VBR | —— | —— | 40 | 45 | V |
| 响应度 | R | VR=5V, λ=1310nm | 0.70 | 0.80 | —— | A/W |
| 暗电流 | Id | φe=0μW | —— | 1 | 10 | nA |
| 响应时间 | Rt | λ=1310nm, M=10 Rj=50Ω | —— | 0.30 | 0.50 | ns |
| 带宽 | BW | M=10, Rj=50Ω | 2.0 | —— | —— | GHz |
| 结电容 | C | M=10,φe=1μW, f=1MHz | —— | 0.60 | 1.0 | pF |
| 光回波损耗 | RL | λ=1310nm | 40 | —— | —— | dB |
1. 封装形式和管脚定义
