Si APD 400-1100nm 光电二极管 800μm 1064nm增强
1064光电探测器
Si 1064
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1. 概述
GY-SI-APD-800-TO46是一款硅基可见光波段，1064nm增强的雪崩光电二极管，非常适合用于1064nm光探测。
2. 应用
- 激光测距
- 激光告警
- 激光雷达
3. 最大绝对额定值
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| APD 偏置电压 | VPD | —— | 0.98VBR | V |
| 工作温度 | TC | -45 | +85 | ⁰C |
| 贮存温度 | TSTG | -45 | +100 | ⁰C |
| 正向电流 | IF | —— | 1 | mA |
4. 光电性能（@ Tc=22±3℃）
| 特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 光谱响应范围 | λ | —— | 400 ~ 1100 | nm | ||
| 光敏面直径 | φ | —— | 800 | μm | ||
| 响应度 | Re | λ=1064nm,φe=1μw, M=100 | 30 | 36 | —— | A/W |
| 响应时间 | TS | f=1MHz,RL=50Ω,λ=1064nm | —— | 2.0 | —— | ns |
| 暗电流 | Id | M=100 | —— | 5.0 | 12.0 | nA |
| 总电容 | C | M=100, f=1MHz | —— | 2.5 | 4.0 | pF |
| 反向击穿电压 | VBR | IR=10μA | 350 | —— | 460 | V |
| 击穿电压温度系数 | δ | Tc=-40℃～85℃ | —— | 2.4 | 3.0 | V/℃ |
5. 典型特性曲线
6. 芯片结构图及尺寸
| 特性参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | Notes |
|---|---|---|---|---|---|
| 芯片宽度 | 1550 | 1560 | 1570 | µm | |
| 芯片长度 | 1550 | 1560 | 1570 | µm | |
| 芯片厚度 | 110 | 120 | 130 | µm | |
| N-电极/R | —— | 80 | —— | µm | Au metal |
| P-电极 | —— | µm | Au metal | ||
7. 封装形式TO46
