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1100-1650nm InGaAs APD光电探测器 尾纤封装 多模62.5/125

光电二极管
产品型号:GY-APD-50-PF-M
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技术支持:黄工 13427781756 (微信同号,可扫码
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1. 概述

GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款铟镓砷雪崩光电二极管(APD)。该器件的光敏区直径为50微米,并且采用了50AR的抗反射涂层来最小化光的反射并增加透过率。

 

2. 应用

  • 高响应度
  • 低暗电流,小电容
  • 同轴封装,可靠性高,使用寿命长
  • 符合RoHS要求且无铅
  • 仪器仪表


3. 最大绝对额定值Tc=25℃)

参数名称符号最小最大单位
工作温度Top-40+85⁰C
贮存温度TSTG-40+85⁰C
正向电流IF——5mA
反向电流VR——45V

 

4. 光电性能(Tc=25℃)

特性参数符号测试条件最小典型最大单位
工作波长λ——1100——1650nm
雪崩电压VBR————4045V
响应度RVr=5V, λ=1310nm 0.700.80——A/W
暗电流Idφe=0μW——110nA
结电容CM=10,φe=0μW, f=1MHz——0.61.0pF
响应时间RTλ=1310nm, M=10,Rj=50Ω——0.30.5ns
带宽BWM=10, Rj=50Ω2.0————GHz

 

5. 封装尺寸和管脚定义

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