500um 950-1700nm APD光电探测芯片 TO46封装 裸Die
500um APD
APD光电探测芯片
APD光电二极管
APD裸片
800-1700nm
技术支持：黄工 13427781756 (微信同号，可扫码）
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应用 Applications
- 距离测量
- 空间光传输
- 光时域反射计
- 低光级探测
光电性能 Electro-Optical Characteristics （@ Tc=22±3℃）
| 特性参数 Parameter | 符号 Symbol | 测试条件 Test Condition | 最小 Min. | 典型 Typ. | 最大 Max. | 单位 Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Active Area | Φ | 500 | um | |||
| 光谱响应范围 Response Spectrum | λ | —— | 950 ~ 1700 | nm | ||
| 响应度 Responsivity | Re | λ=1550nm Pin=1 μW, M=1 | 0.80 | 0.95 | —— | A/W |
| 倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-3 | 10.00 | —— | —— | —— |
| 倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-2 | 20.00 | —— | —— | —— |
| 倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-1 | 30.00 | —— | —— | —— |
| 暗电流 Dark Current | Id | VR=VBR-3, Pin=0 μW | —— | 50.00 | 100.00 | nA |
| -3dB 截止频率 -3dB cut-off frequency | BW | M=10 RL=50Ω | 0.25 | 0.45 | —— | GHz |
| 反向击穿电压 Reverse Breakdown Voltage | VBR | IR =10μA, Pin=0μW | 40.00 | —— | 60.00 | V |
| 电容 Capacitance | C | VR=VBR-3, f=1MHz | —— | 6.00 | 8.00 | pF |
| 击穿电压温度系数 Temperature coefficient of VBR | γ | R=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃ | 0.05 | 0.12 | 0.15 | V/℃ |
封装图
实拍图片
