Si 400-1100nm 光电二极管 正方形FC法兰
FC法兰
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1. 概述
一款硅基高速光电探测器。
2. 应用
- 高响应度
- 低暗电流，低电容
- 插入式结构
- 激光焊接，可靠性高，使用寿命长
3. 最大绝对额定值（Tc=25℃）
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 典型值 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 饱和光功率 | Ps | —— | 5 | —— | mW |
| 正向电流 | IF | —— | —— | 5 | mA |
| 反向电压 | Vr | —— | 5 | 15 | V |
| 工作温度 | TOP | -40 | —— | +85 | ⁰C |
| 贮存温度 | TSTG | -40 | —— | +85 | ⁰C |
| 引脚敢接（温度/时间） | —— | —— | 260/10 or 360/5 | —— | ℃/Sec |
4. 光电性能（（Tc=25℃）
| 特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 活动区域 | φ | —— | —— | 200 | —— | μm |
| 工作波长 | λ | —— | 400 | —— | 1100 | nm |
| 响应度 | Res | Vr=10V,λ=405nm | 0.17 | —— | —— | A/W |
| Vr=10V,λ=650nm | 0.30 | —— | —— | |||
| Vr=10V,λ=850nm | 0.46 | —— | —— | |||
| Vr=10V,λ=1064nm | 0.08 | —— | —— | |||
| 暗电流 | Id | Vr=10V | —— | 0.1 | 1.0 | nA |
| 反向击穿电压 | VBR | I=10μA | —— | —— | 60 | V |
| 结电容 | C | Vr=10V,f=1MHz | —— | —— | 1.0 | pF |
| 响应时间 | TR | Vr=10V,50Ω | —— | —— | 150 | pS |
| 带宽(-3dB) | Bw | Vr=10V,50Ω | —— | 2.5 | —— | GHz |
| 分流电阻 | RSH | Vr=10mV | —— | —— | 100 | GΩ |
