Ф3mm 300-1000nm 硅雪崩光电二极管 355nm紫外增强

紫外光电探测器 3mm光电探测器光电二极管 apd光检测器 400-1100nm

产品型号：GY-Si-APD-3000-TO5

技术支持：黄工 13427781756 (微信同号，可扫码）

页面上没有您要找的参数，并不代表我们没有相应产品；添加微信直接沟通更高效。

返回光电二极管选型咨询

1. 概述

Ф3mm355nm硅雪崩光电二极管是一种高性能的光电探测器件，设计用于探测紫外到可见光范围内的光信号，特别是355纳米波长的激光。

2. 应用

3. 光电性能（@Ta=22+3℃）

特性参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
光谱响应范围	λ	——	300~1000			nm
光敏面直径	φ	——	300			μm
响应度	Re	λ=355nm, φ=1μw, VR=10V	——	0.22	——	A/W
响应度	Re	λ=355nm, φ=1μw, VR=80V	——	6. 75	——	A/W
暗电流	ID	VR=0.9VBR	——	15	50	nA
总电容	Ctot	VR=0.9VBR, f=1MHz	——	50	——	pF
反向击穿电压	VBR	IR=10μA	80	——	200	V
工作电压温度系数	δ	TC=-40℃~85℃	——	0.4	——	V/℃