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产品中心 - 光电二极管

Ф3mm超大靶面，300-1100nm响应范围，355nm紫外增强，硅基雪崩光电探测器；适合用于荧光探测，超弱光探测等应用场景。

Ф3mm 355nm紫外增强硅雪崩光电二极管

NIR2200D1N1光电二极管通过将光功率转换为电流，是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。

900-2600nm 长波长光电探测器二极管

InGaAs材料的APD雪崩光电探测器，光敏面200um 相应波长950-1700nm 1550nm峰值，裸片die 或 TO封装。

950-1700nm APD光电探测器雪崩二极管 200um TO46封装 裸片die

该款探测芯片类型为APD，光敏直接500um，材料InGaAs，波长950-1700nm，可TO46封装；适合用于激光雷达，距离测量，弱光探测等场景。

950-1700nm APD光电探测芯片 光敏直径500um TO46封装 裸Die

光敏直径为1000um的APD雪崩光电探测器芯片，相应波长950-1700nm，默认采用TO46封装，适合用于激光雷达，弱光探测等场景。

950-1700nm APD雪崩光电探测芯片 1000um大光敏 TO46 裸片


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