
APD430T 高增益雪崩光电探测器属于APD 光电探测器系列空间光探测模块,是 APD43 系列高增益升级款;提供硅 400-1100nm、铟镓砷 1000-1700nm 两种感光芯片,带宽覆盖 10M~400MHz,集成热敏电阻自动补偿倍增因子,机身预留电位器安装位可实现增益手动调节,适配激光雷达测距、超快弱脉冲光学检测等场景。
| 型号 | APD430A-10M-T | APD430A-50M-T | APD430A-200M-T | APD430A-400M-T |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | Si | |||
| 波长范围 | 400-1100nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 230um | ||
| 响应度 | 0.55A/W @ 850nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 4.0x10^7V/W | 8.0x10^6V/W | 2.4x10^6V/W | 1.0x10^6V/W |
| 饱和光功率 | 80nW | 0.43uW | 1.2uW | 2.9uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.07pW/√Hz | 0.12pW/√Hz | 0.15pW/√Hz | 0.30pW/√Hz |
| 型号 | APD430C-10M-T | APD430C-50M-T | APD430C-200M-T | APD430C-400M-T |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 200um | ||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 1.0x10^7V/W | 2.0x10^6V/W | 8.0x10^5V/W | 3.6x10^5V/W |
| 饱和光功率 | 0.32uW | 1.6uW | 4.0uW | 8.3uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.13pW/√Hz | 0.24pW/√Hz | 0.42pW/√Hz | 0.94pW/√Hz |
| 探测器公共参数 | 典型值 |
|---|---|
| 工作电压 | 9V |
| 工作电流 | <200mA |
| 输出阻抗 | 50Ω |
| 输出耦合方式 | DC |
| 输出接头 | SMA female |
| 工作温度 | -10~65℃ |
| 存储温度 | -40~85℃ |
备注:
a 对于50Ω负载
b 对于高阻负载
探测器型号命名规范:探测器系列-带宽-T-SM1-ADJ
例:
APD430A-50M-T,则表示使用结构为30mm笼式结构。
APD430A-50M-T-SM1,则表示使用结构为SM1外螺纹结构。
APD430A-50M-T-SM1-ADJ,则表示使用结构SM1外螺纹可调增益结构。
| 序号 | 物资名称 | 数量 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 光电探测器 | 1 | 个 | |
| 2 | 电源适配器 | 1 | 个 | 9V |
| 3 | SMA转BNC射频线 | 1 | 根 |
| 选型描述 | 备注 | 链接 |
|---|---|---|
| 800-1700nm光纤输入的光电探测器 | 光纤输入 | 查看 |
| 800-1700nm的空间光输入光电探测器 | 空间光输入 | 查看 |
| 400-1100nm光纤输入硅光电探测器 | 光纤输入 | 查看 |
| 400-1100nm空间光输入硅光电探测器 | 空间光输入 | 查看 |
| 1G带宽以上的光电探测器 | 1G带宽以上 | 查看 |